Electron nuclear double resonance (ENDOR) spectroscopy of the EL2 defect in GaAs

2014 L'étude du défaut EL2 dans GaAs semi-isolant par spectroscopie ENDOR détectée optiquement (ODENDOR) montre que ce défaut est dû à une paire d'antisite arsenic-interstitiel arsenic, AsGa-Asi.Les paramètres d'interaction hyperfine ainsi que la symétrie des premiers et deuxièmes voisins et de l'interstitiel ont été analysés.L'interprétation quantitative de l'interaction quadrupolaire permet de déduire le site et l'état de charge de l'interstitiel d'arsenic.Abstract.2014 Optically detected electron nuclear double resonance (ODENDOR) experiments in semi- insulating GaAs show that the As-antisite ESR spectrum is due to an arsenic antisite-As interstitial pair.The interaction parameters and symmetry of the nearest and next nearest As-ligands and of the single interstitial As atom were analysed.From a quantitative interpretation of the quadrupole interaction parameters the place and charge state of the interstitial As can be inferred.