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作者
Benjamin Vincent,Joseph Ervin
摘要
This paper presents a new transistor design that enables scalability of a nanosheet field effect transistor (FET) architecture. By introducing an innovative patterning design for the nanosheets (a zigzag shape), the contacted poly pitch (CPP) can be reduced to a 30nm size. Semiconductor virtual fabrication was used to create virtual prototypes of this new device architecture and evaluate different process and design assumptions.
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