Toward the Understanding on Threshold Voltage Drift Mechanisms in GaN MOSc-HEMTs Through the Influence of Device Architecture

材料科学 阈值电压 光电子学 电压 电气工程 工程物理 晶体管 物理 工程类
作者
C. Leurquin,W. Vandendaele,M.-A. Jaud,Romain Laviéville,B. Mohamad,Cédric Masante,Ghislain Despesse,E. Nowak
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (5): 3123-3129
标识
DOI:10.1109/ted.2024.3384941
摘要

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