High‐Performance Memristors Based on Ordered Imine‐Linked Two‐Dimensional Covalent Organic Frameworks for Neuromorphic Computing

神经形态工程学 记忆电阻器 亚胺 共价有机骨架 材料科学 共价键 计算机体系结构 纳米技术 计算机科学 化学 人工神经网络 工程类 人工智能 电子工程 有机化学 催化作用
作者
Da Huo,Zhangjie Gu,Bailing Song,Yimeng Yu,Mengqi Wang,L. Q. Qin,Huicong Li,Decai Ouyang,Shikun Xiao,Wenhua Hu,Jinsong Wu,Yuan Li,Xiaodong Chi,Tianyou Zhai
出处
期刊:Interdisciplinary materials [Wiley]
标识
DOI:10.1002/idm2.12244
摘要

ABSTRACT Covalent organic frameworks (COFs) have emerged as highly promising materials for high‐performance memristors due to their exceptional stability, molecular design flexibility, and tunable pore structures. However, the development of COF memristors faces persistent challenges stemming from the structural disorder and quality control of COF films, which hinder the effective regulation of active metal ion migration during resistive switching. Herein, we report the synthesis of high‐quality, long‐range ordered, imine‐linked two‐dimensional (2D) COF TP‐TD film via the innovative surface‐initiated polymerization (SIP) strategy. The long‐range ordered one‐dimensional (1D) nanochannels within 2D COF TP‐TD film facilitate the stable and directed growth of conductive filaments (CFs), further enhanced by imine–CFs coordination effects. As a result, the fabricated memristor devices exhibit exceptional multilevel nonvolatile memory performance, achieving an ON/OFF ratio of up to 10 6 and a retention time exceeding 2.0 × 10 5 s, marking a significant breakthrough in porous organic polymer (POP) memristors. Furthermore, the memristors demonstrate high‐precision waveform data recognition with an accuracy of 92.17%, comparable to software‐based recognition systems, highlighting its potential in advanced signal processing tasks. This study establishes a robust foundation for the development of high‐performance COF memristors and significantly broadens their application potential in neuromorphic computing.
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