场效应晶体管放大器
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作者
Takuya Nojima,Sadayuki Nishiki,K. Chiba
出处
期刊：Electronics Letters
[Institution of Engineering and Technology]
日期：1987-05-07
卷期号：23 (10): 512-513
被引量：7
摘要
A 1.7 GHz-based class-F GaAs FET amplifier is proposed. To achieve high-efficiency performance, a precisely adjustable terminating circuit constructed with lumped elements is introduced. Power-added efficiency of 68% at 1.5 W output is attained with the amplifier.
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