A computational study of TiHfPtZ (Z = Al, Ga, In) quaternary heusler compounds for spintronics applications

自旋电子学 凝聚态物理 磁矩 铁磁性 居里温度 材料科学 费米能级 休斯勒化合物 电子能带结构 电子 声子 物理 量子力学
作者
Nazir Ahmad Teli,Showkat H. Mir,M. Mohamed Sheik Sirajuddeen,I. B. Shameem Banu
出处
期刊:Physica Scripta [IOP Publishing]
卷期号:99 (2): 025974-025974 被引量:2
标识
DOI:10.1088/1402-4896/ad1f25
摘要

Abstract First-principles calculations were employed to investigate the structural, phonon, electronic, and magnetic properties of newly designed quaternary Heusler compounds (TiHfPtZ; where Z = Al,Ga,In) for spintronics applications. The phonon dispersion reveals that new quaternary heusler compounds are dynamically stable. Density of states and band structure plots of TiHfPtZ (Z = Al,Ga,In) compounds shows the half-metallic nature with indirect energy band gaps 1.07 eV, 0.92 eV and 0.99 eV at the Fermi level in spin down channel respectively. Each system displays a magnetic moment of 3 μ B, which favors the half-metallic ferromagnetism and follows the Slater Pauling rule Mt = At −24 (Mt: total magnetic moment and At: total number of valence electrons). Moreover, Curie temperature was determined in each cell is 566 K.
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