Deep learning-based detection of dislocation defects in 4H-SiC substrates via enhanced photoluminescence imaging

光致发光 位错 材料科学 光电子学 纳米技术 复合材料
作者
Lulu Yu,Y. Qiu,Heng Wang,Zhenzhong Wang,Zhili Hu
出处
期刊:Diamond and Related Materials [Elsevier]
卷期号:159: 112745-112745
标识
DOI:10.1016/j.diamond.2025.112745
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