兴奋剂
铟
镓
锡
铋
材料科学
杂质
半导体
价带
机制(生物学)
化学物理
化学
光电子学
带隙
冶金
物理
有机化学
量子力学
作者
Hyungyu Jin,Bartłomiej Wiendlocha,Joseph P. Heremans
摘要
A new mechanism is identified for doping semiconductors, based on modifications accomplished by impurity atoms deep in the valence band.
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