Third-order square-root topological insulators on decorated diamond sonic crystals

拓扑绝缘体 拓扑(电路) 方格 四面体 平方根 物理 钻石 哈密顿量(控制论) 凝聚态物理 材料科学 数学 几何学 组合数学 伊辛模型 数学优化 复合材料
作者
Zhi-Guo Geng,Ya‐Xi Shen,Liwei Duan,Zhaojiang Chen,Xue‐Feng Zhu
出处
期刊:Journal of Physics: Condensed Matter [IOP Publishing]
卷期号:35 (40): 405001-405001 被引量:5
标识
DOI:10.1088/1361-648x/ace1c2
摘要

Abstract The square-root operation can generate novel topological phases, whose nontrivial topological properties are inherited from the parent Hamiltonian. Here we report the acoustic realization of third-order square-root topological insulators by adding additional resonators between the site resonators of original diamond lattice. Due to the square-root operation, multiple acoustic localized modes appear in doubled bulk gaps. The bulk polarizations of the tight-binding models are employed to reveal the topological feature of the higher-order topological states. By tuning the coupling strength, we find the emergence of third-order topological corner states in doubled bulk gaps on tetrahedron-like and rhombohedron-like sonic crystals, respectively. The shape dependence of square-root corner states provides an extra degree of freedom for flexible manipulation on the sound localization. Furthermore, the robustness of the corner states in three-dimensional (3D) square-root topological insulator is well elucidated by introducing random disorders into the irrelevant bulk region of the proposed 3D lattices. This work extends square-root higher-order topological states into 3D system, and may find possible applications in selective acoustic sensors.
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