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Leakage Current Mechanisms in Silicon Carbide MOSFETs - A Review

材料科学 碳化硅 工程物理 光电子学 MOSFET 冶金 电气工程 晶体管 电压 工程类
作者
Tamana Baba,Nurul Fadzlin Hasbullah,Norazlina Saidin,Naseeb Ahmad Siddiqui,Abdullah Üzüm,Mehmet Turhal
出处
期刊:Transactions on Electrical and Electronic Materials [Springer Science+Business Media]
卷期号:26 (6): 779-800
标识
DOI:10.1007/s42341-025-00668-y
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