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作者
Lin Li,Yongfang Yang,Nan He,Xinyi Xu,Bingsen Wang,Jie Miao,Shengli Xu,Haonan Wang,Dawei Tang
摘要
A dual-interfacial gating strategy enables simultaneous bidirectional ion migration, addressing the carrier number limitation inherent in traditional single-ion transport HEGs and leading to a record-high current density.
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