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Kinetics of Passive Film Growth on 304 Stainless Steel in H2SO4 Pickling Solution under Chemical Oxidation

酸洗 钝化 材料科学 介电谱 腐蚀 极化(电化学) 电化学 冶金 半导体 化学工程 电极 分析化学(期刊) 复合材料 光电子学 化学 物理化学 图层(电子) 工程类 色谱法
作者
Yingying Yue,Chengjun Liu,Edouard Asselin,Peiyang Shi,Maofa Jiang
出处
期刊:Corrosion [NACE International]
卷期号:74 (6): 705-714 被引量:8
标识
DOI:10.5006/2680
摘要

H2SO4-H2O2 mixtures are a promising and environmentally friendly passivation medium for the stainless-steel pickling process. The corrosion behavior of stainless steel is highly dependent on the kinetics of passive film growth. Long-term electrochemical measurements, including polarization resistance, open circuit potential (OCP), and electrochemical impedance spectroscopy (EIS) measurements were performed to investigate the evolution of the passive state of 304 stainless steel. According to the OCP results, an active-passive transition takes place in 10 ks in 0.5 M H2SO4 solution containing 0.005 M to 0.3 M H2O2. Polarization resistance results indicate that the passive film thickness keeps growing after OCP stabilization in the presence of H2O2. Electrochemical impedance spectroscopy (EIS) results confirmed that the growth of the passive film in H2SO4-H2O2 solutions takes about 9 h. Additionally, according to the Point Defect Model (PDM) and Mott–Schottky analysis, the semiconductor properties of the passive film on 304 stainless steel in H2SO4-H2O2 solution were studied. The results indicate that the passive film is an n-type semiconductor. The donor density is in the range of 1.6 × 10−21 cm−3 to 24 and decreases exponentially with increasing film formation potential (this potential coincides with the final OCP in the corresponding H2SO4-H2O2 solutions). By postulating that most donors are oxygen vacancies, the point defect properties including diffusivity and electrical field strength are obtained.
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