Green‐Sensitive Phototransistor Based on Solution‐Processed 2D n‐Type Organic Single Crystal

材料科学 单晶 光电二极管 单层 光电子学 丙烯腈 二极管 绿灯 亚苯基 电子迁移率 半导体 有机半导体 蓝光 结晶学 纳米技术 聚合物 化学 复合材料 共聚物
作者
Jin Hong Kim,Sangyoon Oh,Sang Kyu Park,Sang Kyu Park,Soo Young Park,Soo Young Park
出处
期刊:Advanced electronic materials [Wiley]
卷期号:5 (10) 被引量:20
标识
DOI:10.1002/aelm.201900478
摘要

Abstract 2D single crystals of down to two‐monolayer thickness are fabricated from a push–pull structure‐based green light absorbing organic n‐type semiconductor, (2 E ,2′ E )‐3,3′‐(2,5‐difluoro‐1,4‐phenylene)bis(2‐(5‐(4‐(trifluoromethyl)phenyl)thiophen‐2‐yl)acrylonitrile) (2F‐4‐TFPTA). The 2F‐4‐TFPTA 2D single crystal exhibits field‐effect electron mobility of 0.9 cm 2 V −1 s −1 in the dark and also decent photoresponsivity of 3.6 × 10 3 A W −1 under green light‐emitting diode irradiation, which is noted as the first demonstration of green‐sensitive 2D organic phototransistors. Photoresponse time of this 2F‐4‐TFPTA 2D single‐crystal device is as fast as 43 ms for the rise and 85 ms for the decay.
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