Process Conditions for Low Interface State Density in Si-passivated Ge Devices with TmSiO Interfacial Layer

材料科学 接口(物质) 图层(电子) 光电子学 钝化 基质(水族馆) 原子层沉积
作者
L. Žurauskaitė,Per-Erik Hellström,Mikael Östling
出处
期刊:ECS Journal of Solid State Science and Technology [The Electrochemical Society]
卷期号:9 (12): 125009-
标识
DOI:10.1149/2162-8777/abd48c
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