Avalanche capability degradation of the parallel-connected SiC MOSFETs

碳化硅 雪崩击穿 降级(电信) 材料科学 失效机理 击穿电压 MOSFET 根本原因 电流(流体) 光电子学 电压 工程物理 电气工程 计算机科学 电子工程 可靠性工程 工程类 晶体管 复合材料 冶金
作者
Hua Mao,Ran Li,Haoyu Chen,Xianda Zhou,Huaping Jiang
出处
期刊:Microelectronics Reliability [Elsevier BV]
卷期号:142: 114926-114926 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.microrel.2023.114926
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