The effects of heavy doping on I–V characteristics of GaAs JFET and MESFET devices

作者
K.W. Teng,Shuguang Li
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier BV]
卷期号:29 (7): 683-686 被引量:3
标识
DOI:10.1016/0038-1101(86)90152-8

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