NiO-doped CaCu<SUB>3</SUB>Ti<SUB>4</SUB>O<SUB>12</SUB> Thin Film by Sol-Gel Method

用溶胶-凝胶法制备纯CaCu 3 Ti 4 O 12 (CCTO)薄膜以及NiO掺杂CaCu 3- x Ni x Ti 4 O 12 (CCNTO)薄膜( x =0.10、0.20、0.30)，研究了掺杂NiO对CCTO介电性能以及微观结构的影响。通过AFM图片可以看出，掺杂NiO的CCTO薄膜的晶粒尺寸比不掺杂NiO的CCTO薄膜的晶粒尺寸小。当 x =0.2时，CCNTO薄膜的漏电流最小，最小值为0.546 mA，同时具有最大阈值电压与最大非线性系数，最大值分别为81 V/mm 和1.9。当Ni掺杂量达到一定程度时，CCNTO薄膜的介电常数就会增加，总体来说，随着Ni的掺杂量增加，CCNTO薄膜的介电损耗呈上升趋势。