Modelling the ON-state gate leakage current in p-GaN gated AlGaN/GaN HEMTs

材料科学 光电子学 泄漏(经济) 电流(流体) 晶体管 场效应晶体管 逻辑门 电气工程 高电子迁移率晶体管 功率半导体器件
作者
S. Milazzo,G. Greco,G. Giorgino,C. Miccoli,S. Mirabella,F. Iucolano,F. Roccaforte
出处
期刊:Microelectronic Engineering [Elsevier BV]
卷期号:305: 112469-112469
标识
DOI:10.1016/j.mee.2026.112469
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