Bending effect on the synaptic behavior of WO3-based flexible memristor under variable temperatures

材料科学 记忆电阻器 弯曲 聚合物 抗弯强度 变量(数学) 接口(物质) 复合材料 工作(物理) 光电子学 电子工程 机械工程 数学分析 数学 毛细管数 毛细管作用 工程类
作者
Shuai-Shuai Qi,Fei Yang,Jian‐Chang Li
出处
期刊:Applied Physics Letters [American Institute of Physics]
卷期号:120 (22) 被引量:4
标识
DOI:10.1063/5.0093213
摘要

We systematically study the fatigue failure of the Ag/Poly (3-hexylthiophene-2,5-diyl)(P3HT)/WO3/ITO/PET flexible memristor under variable temperatures, which simulates essential synaptic learning functions. The theoretical calculations and finite element analysis results indicate that the P3HT/WO3 interface plays a key role in device fatigue failure at variable temperatures. As the temperature dropped from 100 to −30 °C, a significant decrease in the loosely adsorbed polymer chains and flattened chains occurs at the P3HT/WO3 interface and thus leads to the deterioration of the P3HT/WO3 interface. The weak P3HT/WO3 interfacial bonding substantially accelerates the crack propagation under low-temperature flexural cycles, which will ultimately cause the device to deteriorate. Our work may provide some useful information for future achievement of flexible memory synapses utilized in cryogenic environments.
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