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Observation and Suppression of Growth Pits Formed on 4H-SiC Epitaxial Films Grown Using Halide Chemical Vapor Deposition Process

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作者
Yoshiaki Daigo,Keisuke Kurashima,Shigeaki Ishii,Ichiro Mizushima
出处
期刊:IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing [IEEE Computer Society]
卷期号:37 (3): 402-404 被引量:2
标识
DOI:10.1109/tsm.2024.3395361
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