德拉姆
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作者
Cheol Jin Cho,Myoung‐Sub Noh,Woo Chul Lee,Cheol Hyun An,Chong‐Yun Kang,Cheol Seong Hwang,Seong Keun Kim
摘要
Ta-Doped SnO2 could be a promising reduction–resistant oxide electrode for DRAM capacitors.
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