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作者
Pengfei Hou,Jinbin Wang,Xiangli Zhong,Yuexian Wu
出处
期刊：RSC Advances
[Royal Society of Chemistry]
日期：2016-01-01
卷期号：6 (59): 54113-54118
被引量：53
摘要
Ferroelectric resistive switching memory is a non-destructive and easy to achieve multilevel storage, which is a breakthrough for further improving the density in the random access memory.
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