Physical model of threshold switching in NbO2 based memristors

记忆电阻器自然键轨道材料科学光电子学化学电子工程计算化学工程类密度泛函理论

作者

Stefan Slesazeck,Hannes Mähne,Helge Wylezich,Andre Wachowiak,J. Radhakrishnan,Alon Ascoli,Ronald Tetzlaff,Thomas Mikolajick

出处

期刊：RSC Advances [Royal Society of Chemistry]
日期：2015-01-01 卷期号：5 (124): 102318-102322 被引量：162

标识

DOI：10.1039/c5ra19300a

摘要

This paper investigates the origin of the threshold switching effect in niobium oxide based filamentary switching cells.

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