Contributions of oxygen vacancies and titanium interstitials to band-gap states of reduced titania

材料科学 金红石 晶体缺陷 氧气 退火(玻璃) 带隙 表面光电压 光谱学 空位缺陷 电子 凝聚态物理 原子物理学 化学物理 化学 光电子学 冶金 有机化学 物理 量子力学
作者
Jing‐Feng Li,Rémi Lazzari,Stéphane Chenot,Jacques Jupille
出处
期刊:Physical review [American Physical Society]
卷期号:97 (4) 被引量:14
标识
DOI:10.1103/physrevb.97.041403
摘要

The spectroscopic fingerprints of the point defects of titanium dioxide remain highly controversial. Seemingly indisputable experiments lead to conflicting conclusions in which oxygen vacancies and titanium interstitials are alternately referred to as the primary origin of the Ti $3d$ band-gap states. We report on experiments performed by electron energy loss spectroscopy whose key is the direct annealing of only the very surface of rutile ${\mathrm{TiO}}_{2}(110)$ crystals and the simultaneous measurement of its temperature via the Bose-Einstein loss/gain ratio. By surface preparations involving reactions with oxygen and water vapor, in particular, under electron irradiation, vacancy- and interstitial-related band-gap states are singled out. Off-specular measurements reveal that both types of defects contribute to a unique charge distribution that peaks in subsurface layers with a common dispersive behavior.
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