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二极管
金属有机气相外延
沉积（地质）
纳米技术
沉积物
生物
古生物学
作者
Wenliang Wang,Yunhao Lin,Yuan Li,Xiaochan Li,Liegen Huang,Yulin Zheng,Zhiting Lin,Haiyan Wang,Guoqiang Li
摘要
High-quality GaN-based light-emitting diode (LED) wafers have been grown on Si substrates by metal–organic chemical vapor deposition by designing epitaxial structures with AlN/Al0.24Ga0.76N buffer layers and a three-dimensional (3D) GaN layer.
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