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Amidation‐Retarded Synthesis of Perovskite Quantum Dots with Low Defect Density and Enhanced Carrier Transport for Efficient Light Emitting Diodes and Solar Cells

材料科学 钙钛矿(结构) 光电子学 量子点 二极管 发光二极管 载流子密度 多激子产生 纳米技术 化学工程 兴奋剂 工程类
作者
Yuqin Su,Hengyang Xiang,Ya‐Kun Wang,Huifeng Li,Yifei Wang,Xinyi Lv,Min Xie,Shengli Zhang,Zhiyong Fan,Jianyu Yuan,Liang‐Sheng Liao,Haibo Zeng
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:37 (35): e2506397-e2506397 被引量:16
标识
DOI:10.1002/adma.202506397
摘要

Perovskite quantum dots (PQDs) are promising for both solar cells (SCs) and light emitting diodes (LEDs) for their excellent optoelectronic characteristics and solution-processable fabrication. One of the general limitations for these two kinds of devices is that high defect density and poor charge transport, resulting from the unavoidable amidation-induced PbX2 precipitation at high reaction temperature. In this work, an amidation-retarded synthesis strategy is proposed to prevent the PbX2 precipitation and subsequent defect formation. Covalent metal halides are introduced to interrupt amidation by reacting with deprotonated oleic acid/protonated oleylamine. Then, free acids/amines are released to coordinate with PbX2 and form regular lead-halide octahedra during nucleation-growth process. The synthesized CsPbI3 PQDs exhibit lower defect density (5.1 × 1017 cm-3), higher PLQY (92%) and better charge output capacity (≈8 times improvement). As a result, the LEDs and SCs achieve a maximum external quantum efficiency of 28.71% and power conversion efficiency of 16.20%, respectively, representing the state-of-the-art performance. Furthermore, the universality of such strategy has been demonstrated in red/green/blue LEDs, and could be expected in other optoelectronic devices.
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