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Challenges and advancements in p-GaN gate based high electron mobility transistors (HEMTs) on silicon substrates
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作者
Miaodong Zhu,
Guoxin Li,
Hangtian Li,
Zhonghong Guo,
Yingguo Yang,
Jianbo Shang,
Yikang Feng,
Yunshu Lu,
Zexi Li,
Xiaohang Li,
Fangliang Gao,
Wenqiu Wei,
Shuti Li
出处
期刊：
Journal of Materials Chemistry C
[Royal Society of Chemistry]
日期：2024-01-01
卷期号：12 (40): 16272-16293
被引量：16
标识
DOI：10.1039/d4tc02720e
摘要
This review highlights the challenges and advancements in p-GaN gate HEMTs on silicon substrates. It also discusses several attempts to enhance device performance and explores the future developments of p-GaN gate HEMT.
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