Hall characterization of epitaxial GaSb and AlGaAsSb layers using p-n junctions on GaSb substrates

范德堡法锑锑化镓霍尔效应外延材料科学光电子学半导体基质（水族馆）凝聚态物理格子（音乐）图层（电子）超晶格电阻率和电导率纳米技术电气工程物理地质学工程类海洋学声学

作者

Felix Predan,Jens Ohlmann,S. Mrabet,Frank Dimroth,David Lackner

出处

期刊：Journal of Crystal Growth [Elsevier BV]
日期：2018-05-24 卷期号：496-497: 36-42 被引量：5

标识

DOI：10.1016/j.jcrysgro.2018.05.023

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