Switching Transient Analysis and Characterization of an E-Mode B-Doped GaN-Capped AlGaN DH-HEMT with a Freewheeling Schottky Barrier Diode (SBD)

材料科学 光电子学 高电子迁移率晶体管 肖特基势垒 肖特基二极管 欧姆接触 氮化镓 兴奋剂 宽禁带半导体 二极管 晶体管 带隙 异质结 图层(电子) 电气工程 电压 纳米技术 工程类
作者
S. Baskaran,A. Mohanbabu,Saminathan Veerappan,P. Murugapandiyan,Mohammed Wasim,Saravana Kumar Radhakrishnan,Praveen Pechimuthu,Yogesh Kumar Verma,Subash Navaneethan Vivekanandhan,E. Raju
出处
期刊:Journal of Electronic Materials [Springer Nature]
卷期号:49 (7): 4091-4099 被引量:22
标识
DOI:10.1007/s11664-020-08113-x
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