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Heavy-Ion-Induced Gate–Source Damage at High Drain Bias in SiC Power MOSFET

材料科学 光电子学 MOSFET 功率MOSFET 碳化硅 功率半导体器件 功率(物理) 场效应晶体管 电气工程 电子工程 降级(电信) 电容 宽禁带半导体 逻辑门 可靠性(半导体) 电击穿 半导体器件建模 晶体管
作者
Leshan Qiu,Yun Bai,Jiale Wang,Jieqin Ding,Xiaoli Tian,Yidan Tang,Xinyu Liu
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:: 1-7
标识
DOI:10.1109/ted.2025.3649608

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