Monolithically Integrated Bidirectional Gate ESD Protection Scheme of p-GaN Power HEMT by Dual-Gate Device Technology

高电子迁移率晶体管 材料科学 光电子学 电气工程 功率(物理) 逻辑门 氮化镓 电子工程 工程类 晶体管 物理 电压 纳米技术 图层(电子) 量子力学
作者
Yanfeng Ma,Sheng Li,Mingfei Li,Weihao Lu,Lixi Wang,Jie Ma,Ran Ye,Jiaxing Wei,Long Zhang,Chi Zhang,Siyang Liu,Weifeng Sun
出处
期刊:IEEE Transactions on Power Electronics [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:40 (2): 2721-2725 被引量:5
标识
DOI:10.1109/tpel.2024.3494833

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