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Electrical Manipulation of Magnetic Domain Structure in van der Waals Ferromagnetic Fe 3 GaTe 2 Using Ferroelectric PMN‐PT Single Crystal

范德瓦尔斯力 铁磁性 铁电性 材料科学 凝聚态物理 领域(数学分析) 单晶 晶体结构 Crystal(编程语言) 结晶学 物理 光电子学 化学 电介质 分子 计算机科学 量子力学 数学 数学分析 程序设计语言
作者
Riku Iimori,Yuta Kodani,Shaojie Hu,T. Kimura
出处
期刊:Advanced Science [Wiley]
卷期号:12 (39): e03530-e03530
标识
DOI:10.1002/advs.202503530
摘要

Abstract 2D van der Waals (vdW) ferromagnets have emerged as promising materials for spintronic applications due to their unique magnetic properties and tunability. Controlling ferromagnetism via external stimuli is critical for both fundamental research and device integration. In particular, modulation of magnetic anisotropy and exchange interactions through strain offers a viable pathway for functional control. Owing to their weak interlayer coupling, vdW ferromagnets exhibit pronounced sensitivity to strain, enabling effective tuning of their magnetic states. In this study, electric‐field‐induced magnetoelectric coupling is investigated in the above‐room‐temperature vdW ferromagnet Fe 3 GaTe 2 integrated on a ferroelectric PMN‐PT substrate. It is demonstrated that application of an electric field leads to a substantial reduction in coercive force along with dynamic reconfiguration of the magnetic domain structure. These effects are attributed to electric‐field‐induced modulation of the vdW interlayer gap and enhancement of the Dzyaloshinskii–Moriya interaction. These findings reveal a strong interplay between electric fields and magnetism in vdW systems, offering a viable route toward the development of low‐power, multifunctional magnetic devices. This work establishes a foundation for the electric‐field control of magnetic properties in vdW ferromagnets and highlights their potential in next‐generation spintronic technologies.
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