Hole Delayed-Release Effect of Inorganic Interfacial Dipole Layer on Charge Balance for Boosting CsCu2I3 Light-Emitting Diodes

材料科学 光电子学 二极管 Boosting(机器学习) 图层(电子) 发光二极管 电荷(物理) 原子层沉积 偶极子 纳米技术 化学 物理 有机化学 量子力学 机器学习 计算机科学
作者
Xiankan Zeng,Qiming Yin,Lunyao Pan,Yongjian Chen,Chenglong Li,Maolin Mu,Qungui Wang,Wen Li,Weiqing Yang
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:19 (12): 11878-11890 被引量:5
标识
DOI:10.1021/acsnano.4c14429
摘要

CsCu2I3 light-emitting diodes (LEDs) have attracted tremendous interest due to their environmental friendliness, low-cost processing, and broadband luminescence properties. However, their hole injection efficiency usually towers over electron injection efficiency owing to the intrinsic Cu vacancy-mediated excess hole concentration and wide bandgap of CsCu2I3, generating severe charge imbalance. Here, we designed an inorganic interfacial dipole layer (IDL) based on lithium chloride to exert a hole delayed-release effect for charge balance in CsCu2I3 LEDs by selectively modulating the energy levels of the contact layers. Accordingly, the IDL-based CsCu2I3 LEDs exhibit a record champion brightness of 2620 cd/m2 along with a three times enhanced peak external quantum efficiency of 3.73% at 565 nm. Meanwhile, the universality of the hole delayed-release effect of inorganic IDLs is verified by demonstrating enhanced CsCu2I3 LEDs incorporated with other alkali metal salt-based IDLs. This work provides a comprehensive guideline for optimizing the charge transport of lead-free LEDs by charge delayed-release effect of IDLs toward next-generation eco-friendly display applications.
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