Integration of High-k Metal Gate (HKMG) to Core/Peri Transistors of DRAM Addressing Reliability Issues

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作者
Chan Sic Yoon,Chong-Woo Bae,Kiseok Lee,Ho‐In Lee,Sung Ho Jang,Yongseok Ahn,BongSoo Kim,Seguen Park,Jemin Park
标识
DOI:10.1109/esserc62670.2024.10719458
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