Stability of the intrinsic defects in unintentionally doped 4H-SiC epitaxial layer

采用电子顺磁共振（ESR）和低温光致发光（PL）技术，研究了退火温度对低压化学气相沉积法（LPCVD）制备的非故意掺杂 4H-SiC材料中本征缺陷稳定性的影响.结果发现，当退火时间为10 min和30 min时，本征缺陷浓度均随着退火温度的升高而增大，当退火温度达到1573 K时材料中本征缺陷浓度达到最大，继续升高退火温度将使材料中本征缺陷浓度迅速降低.退火温度对材料中本征缺陷的影响主要是由于退火中本征缺陷的稳定化过程及本征缺陷之间发生强烈的相互作用引起的.