Anomalous interface shapes in the seed well during vertical gradient freeze growth of Si-doped GaAs

兴奋剂 材料科学 扩散 相(物质) 凝聚态物理 结晶学 矿物学 化学 热力学 物理 光电子学 有机化学
作者
Michael Rasp,B. Birkmann,G. Müller
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier BV]
卷期号:222 (1-2): 88-95 被引量:6
标识
DOI:10.1016/s0022-0248(00)00924-6
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