静态随机存取存储器
负偏压温度不稳定性
氧气
MOSFET
产量（工程）
材料科学
随机存取存储器
插入损耗
光电子学
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计算机科学
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有机化学
作者
Andrew Marshall,Sai Govinda Rao Nimmalapudi,W. K. Loh,Jessica Krick,Lou N. Hutter,Hideki Takeuchi,R. J. Stephenson,R.J. Mears,Shuji Ikeda
标识
DOI：10.1109/edtm.2017.7947560
摘要
Oxygen Insertion (OI) to enhance MOSFET performance has been demonstrated previously. We expand the analysis of OI to determine the impact of Negative Bias Temperature Instability (NBTI), and examine its effect on an optimized SRAM cell.
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