Morphological and microstructural analysis of triangular defects in 4H-SiC homoepitaxial layers

材料科学 六方晶系 结晶学 复合材料 化学
作者
Jinying Yu,Yi Yu,Zhiqiang Bai,Yan Peng,Xiao-Yan Tang,Xiaobo Hu,Xuejian Xie,Xiangang Xu,Xiufang Chen
出处
期刊:CrystEngComm [Royal Society of Chemistry]
卷期号:24 (8): 1582-1589 被引量:13
标识
DOI:10.1039/d1ce01606g
摘要

Surface morphologies of triangular defects with TD-I, TD-II and TD-III observed by optical microscopy.
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