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Fast-filling of 4H-SiC trenches at 10 μm/h by enhancing partial pressures of source species in chemical vapor deposition processes

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作者
Shiyang Ji,Ryoji Kosugi,Kazutoshi Kojima,Kohei Adachi,Yasuyuki Kawada,Kazuhiro Mochizuki,Yoshiyuki Yonezawa,Sadafumi Yoshida,Hajime Okumura
出处
期刊:Journal of Crystal Growth [Elsevier BV]
卷期号:546: 125809-125809 被引量:4
标识
DOI:10.1016/j.jcrysgro.2020.125809
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