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 Using selective-area growth and selective-area etching on (−102) β-Ga2O3 substrates to fabricate plasma-damage-free vertical fins and trenches 相关领域
蚀刻（微加工）
材料科学
垂直的
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Takayoshi Oshima; Yuichi Oshima 出版日期：2024-01-22 |
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