Epitaxial Structures for Low-Barrier Mixing Microwave Diodes Grown on a GaAs Substrate

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作者
I. V. Samartsev,С. М. Некоркин,Б. Н. Звонков,А. В. Рыков,A. B. Chigineva,Yu. I. Chechenin,A. A. Chilikov,S. V. Pan’kov
出处
期刊:Bulletin of The Russian Academy of Sciences: Physics [Pleiades Publishing]
卷期号:87 (6): 857-861
标识
DOI:10.3103/s1062873823702143
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