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作者
Dayanni D. Bhagwandin,Kirt A. Page,Ly D. Tran,Yao Yao,Alexander Reidell,Christopher Muratore,Qiyi Fang,Aleksey Ruditskiy,Cheri M. Hampton,W. Joshua Kennedy,Lawrence F. Drummy,Yu Zhong,Tobin J. Marks,Antonio Facchetti,Jun Lou,Hilmar Koerner,Luke A. Baldwin,Nicholas R. Glavin
出处
期刊：Nanoscale
[Royal Society of Chemistry]
日期：2024-01-01
卷期号：16 (17): 8369-8377
被引量：15
摘要
surface have highly oriented COF layers aligned parallel to the substrate surface. Moreover, this liquid-solid growth process affords TAPB-PDA COF thin films with p-type charge transport having a transconductance of 10 μS at a gate voltage of -0.9 V in an OECT device structure.
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