Photoacoustic Microscopic (PAM) Images of Some GaAs Wafers

薄脆饼 生物医学中的光声成像 材料科学 半导体 光电子学 半导体材料 显微镜 光学 物理
作者
M. Kasai,Tsuguo Sawada,Yohichi Gohshi
出处
期刊:Japanese Journal of Applied Physics [Institute of Physics]
卷期号:24 (S1): 220-220 被引量:4
标识
DOI:10.7567/jjaps.24s1.220
摘要

Non-destructive inspections of some GaAs semiconductor devices were carried using a home-made photoacoustic microscope (PAM). PAM images of a Zn-doped region and dislocations of GaAs wafers were particularly discussed in this paper.
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