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Selective doping in hydride epitaxy and the electrical properties of quantum-well Ge/GeSi:B heterostructures

异质结 氢化物 兴奋剂 外延 材料科学 光电子学 量子阱 凝聚态物理 化学 纳米技术 物理 金属 光学 冶金 激光器 图层（电子）
作者
L. K. Orlov
出处
期刊：Semiconductors [Pleiades Publishing]
日期：1999-03-01 卷期号：33 (3): 313-313
标识
DOI：10.1134/1.1187686
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