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Two‐Dimensional Oxide Crystals for Device Applications: Challenges and Opportunities

材料科学 氧化物 纳米技术 铁电性 电介质 晶体管 光电子学 工程物理 电气工程 电压 工程类 冶金
作者
Xiaoqiang Feng,Ruiqing Cheng,Lei Yin,Yao Wen,Jian Jiang,Jun He
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:36 (2): e2304708-e2304708 被引量:55
标识
DOI:10.1002/adma.202304708
摘要

Abstract Atomically thin two‐dimensional (2D) oxide crystals have garnered considerable attention because of their remarkable physical properties and potential for versatile applications. In recent years, significant advancements have been made in the design, preparation, and application of ultrathin 2D oxides, providing many opportunities for new‐generation advanced technologies. This review focuses on the controllable preparation of 2D oxide crystals and their applications in electronic and optoelectronic devices. Based on their bonding nature, the various types of 2D oxide crystals are first summarized, including both layered and nonlayered crystals, as well as their current top‐down and bottom‐up synthetic approaches. Subsequently, in terms of the unique physical and electrical properties of 2D oxides, recent advances in device applications are emphasized, including photodetectors, field‐effect transistors, dielectric layers, magnetic and ferroelectric devices, memories, and gas sensors. Finally, conclusions and future prospects of 2D oxide crystals are presented. It is hoped that this review will provide comprehensive and insightful guidance for the development of 2D oxide crystals and their device applications.
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