Investigation of Dynamic Eₒₛₛ in p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT

高电子迁移率晶体管氮化镓宽禁带半导体材料科学光电子学电气工程晶体管图层（电子）电压纳米技术工程类

作者

Yifei Huang,Qimeng Jiang,Yixu Yao,Sen Huang,Xinhua Wang,Xinyu Liu

出处

期刊：IEEE Electron Device Letters [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
日期：2024-10-10 卷期号：45 (12): 2339-2342 被引量：1

标识

DOI：10.1109/led.2024.3477605

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