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作者
Khryslyn G. Araño,Beth L. Armstrong,Robert L. Sacci,Matthew S. Chambers,Chun‐Sheng Jiang,Joseph Quinn,Harry M. Meyer,Anton W. Tomich,A.R. de L. Musgrove,Steven Lam,Elena Toups,Chongmin Wang,Christopher S. Johnson,Gabriel M. Veith
出处
期刊：
[Royal Society of Chemistry]
日期：2025-01-01
卷期号：2 (3): 648-664
被引量：2
摘要
We demonstrate an approach to lower desolvation energy and increase rate performance through the introduction of a metal to the silicon surface.
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