A high-performance doping-less tunnel FET with pocketed architecture: proposal and analysis

跨导 截止频率 阈下斜率 光电子学 兴奋剂 材料科学 隧道场效应晶体管 阈下传导 晶体管 量子隧道 MOSFET 绝缘体上的硅 电气工程 场效应晶体管 电压 工程类
作者
Nazia Haneef,Mohd Adil Raushan,MD Yasir Bashir,Mohammad Jawaid Siddiqui
出处
期刊:Journal of Computational Electronics [Springer Nature]
卷期号:22 (4): 954-963
标识
DOI:10.1007/s10825-023-02039-3

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