Thermally Stable Silver Nanowires-Embedding Metal Oxide for Schottky Junction Solar Cells

材料科学 光电子学 肖特基势垒 氧化铟锡 肖特基二极管 介电谱 氧化物 能量转换效率 纳米线 太阳能电池 兴奋剂 图层(电子) 纳米技术 电化学 电极 冶金 二极管 化学 物理化学
作者
Hong-Sik Kim,Malkeshkumar Patel,Hyeong‐Ho Park,Abhijit Ray,Chaehwan Jeong,Sangho Kim
出处
期刊:ACS Applied Materials & Interfaces [American Chemical Society]
卷期号:8 (13): 8662-8669 被引量:35
标识
DOI:10.1021/acsami.5b12732
摘要

Thermally stable silver nanowires (AgNWs)-embedding metal oxide was applied for Schottky junction solar cells without an intentional doping process in Si. A large scale (100 mm(2)) Schottky solar cell showed a power conversion efficiency of 6.1% under standard illumination, and 8.3% under diffused illumination conditions which is the highest efficiency for AgNWs-involved Schottky junction Si solar cells. Indium-tin-oxide (ITO)-capped AgNWs showed excellent thermal stability with no deformation at 500 °C. The top ITO layer grew in a cylindrical shape along the AgNWs, forming a teardrop shape. The design of ITO/AgNWs/ITO layers is optically beneficial because the AgNWs generate plasmonic photons, due to the AgNWs. Electrical investigations were performed by Mott-Schottky and impedance spectroscopy to reveal the formation of a single space charge region at the interface between Si and AgNWs-embedding ITO layer. We propose a route to design the thermally stable AgNWs for photoelectric device applications with investigation of the optical and electrical aspects.

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