A two-terminal binary HfO2 resistance switching random access memory for an artificial synaptic device

材料科学 终端(电信) 二进制数 随机存取存储器 光电子学 计算机科学 计算机网络 计算机硬件 算术 数学
作者
Xiaozhang Chen,You Lv,Zhaobo Tian,Jingxi Yang,Yuan Zhu,Longxing Su
出处
期刊:Journal of Materials Chemistry C [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:11 (2): 622-629
标识
DOI:10.1039/d2tc03454a
摘要

We reported a HfO 2 RRAM using an innovative tablet method by pressing the HfO 2 nanocrystals into a circle-shaped ceramic wafer under high pressure.
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